韩国综合股价指数(KOSPI)继13日暴跌5%之后，在仅两天后的15日又暴跌超过8%。KOSPI和创业板科斯达克指数(KOSDAQ)两大市场均触发了熔断机制。这是韩国股市今年第十次触发熔断机制。
截至15日当天下午1时20分，KOSPI较前一交易日下跌484.3点(8.06%)，报5524.51点。韩国股市"双雄"之一的三星电子下跌9.91%，报20.9万韩元（约1038.73元人民币），SK海力士下跌11.28%，报125.9万韩元（约6269.82元人民币）。
KOSPI已连续7个交易日下跌，据估算，截至当天下午1时20分，这期间蒸发的市值约达1170万亿韩元（约5.8万亿元人民币）。
被称作“韩版纳斯达克”的高斯达克指数（KOSDAQ）当天也大幅下跌，同样触发市场熔断机制。
韩联社报道说，人工智能投资回报率争议升温，韩股半导体板块领跌。分析认为，近期人工智能基础设施投资面临的融资瓶颈，以及美国科技股和半导体股持续走弱等因素叠加，对韩国股市半导体板块形成冲击。
韩国《中央日报》分析称，13日，韩国和美国代表性的存储半导体企业股价大幅下跌。三星电子下跌7.39%，SK海力士暴跌10.09%，美国美光也连续两天下跌。这是因为中国长鑫存储（CXMT）宣布将于今年内实现新一代DRAM技术“4F2（4F Square）”的商业化。三星电子和SK海力士仍在尝试这项技术。
这一消息再次引发了韩国半导体企业竞争力优势即将崩溃的危机论。去年7月长鑫存储（CXMT）上市时，也曾因对“通过大规模扩充资本迅速追赶韩国和美国领先企业”的担忧蔓延，导致半导体股价下跌。
“4F2（4F Square）”能够在不将半导体电路做得更微细的情况下，让相同面积的半导体上布置的单元数量最多增加50%。借此，可以在相同大小的芯片上存储更多数据，或者制造出相同容量但更小的芯片，从而增加每张晶圆（半导体圆片）所生产的芯片数量。这是一项可能对DRAM的生产量产生重大影响的技术。
4F2并非长鑫存储开发的技术。三星电子早在今年2月的国际固态电路会议（ISSCC）上就公开了采用4F2架构的16Gb（吉比特）DRAM的研究成果。SK海力士也在去年的学术会议上发表了4F2技术的开发方向。
后来加入的长鑫存储在“商业化计划”方面抢占了先机。长鑫本月10日在中国上海举行的半导体活动上透露：“将在年底前推出采用4F2技术的服务器DDR5存储器产品。”这件事是在三星电子和SK海力士尚未公布具体技术的商业化日程的情况下发生的。
长鑫存储并未公开新产品的存储容量、内存处理速度、良率（正常产品的比例）、生产规模和客户等信息。发布产品与实现高良率的批量生产完全是两回事。在半导体行业，普遍认为“试制品或许没问题，但要比韩国更快实现批量生产是很难的”。
《中央日报》分析称，如果长鑫存储（CXMT）今后能以高良率实现4F2量产，就能用同样的生产设施上制造更多DRAM，降低制造成本。目前，AI数据中心扩大投资所产生的内存供求差距正在比预期更快地缩小，预计三星电子和SK海力士享有的内存繁荣期可能提前结束。
但普遍认为，即使长鑫存储（CXMT）在年底推出产品，要大幅增加实际的供货量还需要相当长的时间。必须确保高良率，还要通过服务器客户的质量验证。短时间内大量采用4F2技术制造DRAM的可能性不大。
三星电子、SK海力士等公司的股价反映了市场对内存价格涨势将长期持续下去的预期。但最近引发半导体超级繁荣的AI数据中心投资热潮究竟能持续多久，目前存在疑问。
《中央日报》认为，在此情况下，随着中国厂商扩大供货的可能性浮出水面，投资者似乎开始重新评估内存价格涨势的可持续性。不过，由于长鑫存储4F2的量产能力和实际供货规模尚未得到确认，仅凭这次发布的内容，很难认为全球内存市场的供应缺口会很快得到解决。
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